| Z-半导体敏感元件原理与应用 二 |
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| 作者:电子工程 文章来源:网上搜集 点击数: 更新时间:2005-8-18 10:20:02 |
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2.光电计数器
表2、光敏Z-元件应用电路与输出信号波形阻态图
图8是光电计数器电路。D1是缓冲级D2-1、D2-2是信号反相级,供计数级选择。R1、V1、V2、R2、R3构成了温度补偿电桥,其中,V2避光,V1受光,且V1、V2应选择反向灵敏度温漂DTR相近的Z-元件。R2用来调整在最大温漂状态下,无光照时D1保持输出为低电平。在被计数的物品遮挡一次光照时,D1输出一个负脉冲,D2-1、D2-2输出的计数脉冲可供选择。当工作温度变化时,因D1两个输入端等电位同步变化,不致产生误动作。
光敏Z-元件还有更多的场合能够应用,这里不一一例举。
七、 磁敏Z-元件及其技术参数
1.磁敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法
磁敏Z-元件是一种经过特殊掺杂而制得的改性PN结。图9(a)是结构示意,图9(b)是电路符号,“+”表示正向使用时接电源“+”端,M表示对磁场敏感。
表3、磁敏Z-元件分档代号与技术参数
名称 符号 阈值电压分档代号 单位 测试条件(T=20°C) 10 20 30 31 阈值电压 Vth <10 10-20 20-30 >30 V RL:5~150kW 阈值磁场 Bth 1 <300 mT RL:5~150kW 2 >300 阈值电流 Ith <1 £2 £3 >3 mA RL:5kW 磁场范围 B 1 (1~1.5)Bth mT RL:5~150kW 2 频率范围 f 1~100 kHz RL:5kW 输出幅值 VP.P ³Vth/6 V RL:5~150kW 频率灵敏度 SF >20 Hz/mT RL:5~150kW 电压灵敏度 ST <-300 mV/100mT E>Vth+RL.Ith
磁敏Z-元件的命名方法有两种:
国内命名法
国际命名法
2.磁敏Z-元件的伏安特性曲线
磁敏Z-元件的伏安特性,应当在无磁场的情况下进行测量,图9(c)是伏安特性测量电路,正向伏安特性的测量电路与方法与温敏Z-元件的相同[6]。
图9(d)的伏安特性中OP段为高阻区,记为M1,pf段为负阻区,记为M2,fm为低阻区,记为M3区。特性中的Vth叫做阈值电压,表示在25℃时两端电压的最大值。Ith叫做阈值电流,是Z-元件电压为Vth时的电流。Vf叫做导通电压,是M3区电压的最小值。If叫做导通电流,是对应Vf的电流,是低阻区电流最小值。反向特 [1] [2] [3] [4] 下一页 |
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