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Z-半导体敏感元件原理与应用 二         【字体:
Z-半导体敏感元件原理与应用 二
作者:电子工程 文章来源:网上搜集 点击数: 更新时间:2005-8-18 10:20:02

2.光电计数器

表2、光敏Z-元件应用电路与输出信号波形阻态图

  

 

 

图8是光电计数器电路。D1是缓冲级D2-1、D2-2是信号反相级,供计数级选择。R1、V1、V2、R2、R3构成了温度补偿电桥,其中,V2避光,V1受光,且V1、V2应选择反向灵敏度温漂DTR相近的Z-元件。R2用来调整在最大温漂状态下,无光照时D1保持输出为低电平。在被计数的物品遮挡一次光照时,D1输出一个负脉冲,D2-1、D2-2输出的计数脉冲可供选择。当工作温度变化时,因D1两个输入端等电位同步变化,不致产生误动作。

光敏Z-元件还有更多的场合能够应用,这里不一一例举。

七、 磁敏Z-元件及其技术参数

1.磁敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法

磁敏Z-元件是一种经过特殊掺杂而制得的改性PN结。图9(a)是结构示意,图9(b)是电路符号,“+”表示正向使用时接电源“+”端,M表示对磁场敏感。

表3、磁敏Z-元件分档代号与技术参数

名称
 符号
 阈值电压分档代号
 单位
 测试条件(T=20°C)
 
10
 20
 30
 31
 
阈值电压
 Vth
 <10
 10-20
 20-30
 >30
 V
 RL:5~150kW
 
阈值磁场
 Bth
 1
 <300
 mT
 RL:5~150kW
 
2
 >300
 
阈值电流
 Ith
 <1
 £2
 £3
 >3
 mA
 RL:5kW
 
磁场范围
 B
 1
 (1~1.5)Bth
 mT
 RL:5~150kW
 
2
 
频率范围
 f
 1~100
 kHz
 RL:5kW
 
输出幅值
 VP.P
 ³Vth/6
 V
 RL:5~150kW
 
频率灵敏度
 SF
 >20
 Hz/mT
 RL:5~150kW
 
电压灵敏度
 ST
 <-300
 mV/100mT
 E>Vth+RL.Ith
 
 


磁敏Z-元件的命名方法有两种:

国内命名法

 

国际命名法

 

2.磁敏Z-元件的伏安特性曲线

磁敏Z-元件的伏安特性,应当在无磁场的情况下进行测量,图9(c)是伏安特性测量电路,正向伏安特性的测量电路与方法与温敏Z-元件的相同[6]。

图9(d)的伏安特性中OP段为高阻区,记为M1,pf段为负阻区,记为M2,fm为低阻区,记为M3区。特性中的Vth叫做阈值电压,表示在25℃时两端电压的最大值。Ith叫做阈值电流,是Z-元件电压为Vth时的电流。Vf叫做导通电压,是M3区电压的最小值。If叫做导通电流,是对应Vf的电流,是低阻区电流最小值。反向特

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